TK30A06N1,S4X(S データシート Toshiba

TK30A06N1,S4X(S - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK30A06N1,S4X(S
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TK30A06N1,S4X(S の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK30A06N1,S4X(S
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
Drain Current-Max (Abs) (ID) 43 A
Drain Current-Max (ID) 43 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Number of Elements 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK30A06N1,S4X(Sのレビュー

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