TK18E10K3 データシート

Name: TK18E10K3
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376715-0000-0000-0000

TK18E10K3 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK18E10K3 の詳細情報

型番	TK18E10K3
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	28 mJ
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	1580
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	18 A
Drain Current-Max (ID)	18 A
Drain-source On Resistance-Max	0.042 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	18
JEDEC-95 Code	TO-220AB
JESD-30 Code	R-PSFM-T3
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	71
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	71 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	54 A
Qg(nC)	33
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.042
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	NO
Terminal Form	THROUGH-HOLE
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	100
VGSS(V)	+/-20
タイプ
ピン数	3
世代	U-MOSⅣ
極性	N-ch
面実装区分	N
駆動電圧タイプ	10Vゲート駆動