TK160F10N1 データシート

Name: TK160F10N1
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376688-0000-0000-0000

TK160F10N1 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK160F10N1 の詳細情報

型番	TK160F10N1
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	FET
種別	パワーMOSFET
データシート
Avalanche Energy Rating (Eas)	466 mJ
Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	160 A
Drain Current-Max (ID)	160 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0024 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	610 pF
ID(A)	160
JESD-30 Code	R-PSSO-G2
Mold	ハロゲンフリー
Number of Elements	1
Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	375 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	480 A
Qg(nC)	121
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.0024
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
Reference Standard	AEC-Q101
RoHS	端子Pbフリー
Surface Mount	YES
Tch(℃)	175
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	100
タイプ
極性	N-ch
駆動電圧タイプ	10Vゲート駆動