TK150F04K3 データシート Toshiba

TK150F04K3 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK150F04K3 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK150F04K3
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
AEC-Q101 適合
Avalanche Energy Rating (Eas) 234 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 150 A
Drain Current-Max (ID) 150 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0021 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 150
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Mold
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
PD(W) 300
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 300 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 450 A
Qg(nC) 166
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.0021
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Reference Standard AEC-Q101
RoHS 端子Pbフリー
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Tch(℃) 175
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 40
データシート
ライフサイクル
極性 N-ch
端子処理(注3) SnAg
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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