| 型番 | TK14G65W |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | MOSFET |
| 種別 | パワーMOSFET |
| データシート | ![]() |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 194 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Ciss(pF) | 1300 |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 650 V |
| Drain Current-Max (ID) | 13.7 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.25 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 4 pF |
| ID(A) | 13.7 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| PD(W) | 130 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 130 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 54.8 A |
| Qg(nC) | 35 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.25 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V) | 650 |
| VGSS(V) | +/-30 |
| タイプ | |
| ピン数 | 3 |
| 世代 | DTMOSⅣ |
| 極性 | N-ch |
| 面実装区分 | Y |
| 駆動電圧タイプ | 10Vゲート駆動 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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