TK14G65W - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

TK14G65W の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK14G65W
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 194 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 1300
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 650 V
Drain Current-Max (ID) 13.7 A
Drain-source On Resistance-Max 0.25 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 4 pF
ID(A) 13.7
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 130
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 130 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 54.8 A
Qg(nC) 35
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.25
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 650
VGSS(V) +/-30
タイプ
ピン数 3
世代 DTMOSⅣ
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 10Vゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK14G65Wのレビュー

TK14G65W のご注文について