型番 | TK14C65W |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | MOSFET |
種別 | パワーMOSFET |
データシート | ![]() |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 194 mJ |
Case Connection | DRAIN |
Ciss(pF) | 1300 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 650 V |
Drain Current-Max (ID) | 13.7 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.25 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | 13.7 |
JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
PD(W) | 130 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | IN-LINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 54.8 A |
Qg(nC) | 35 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.25 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
Surface Mount | NO |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V) | 650 |
VGSS(V) | |
データシート | |
ピン数 | 3 |
ライフサイクル | |
極性 | N-ch |
面実装区分 | N |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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