TK10S04K3L データシート Toshiba

TK10S04K3L - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK10S04K3L
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TK10S04K3L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TK10S04K3L
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 18.2 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 10 A
Drain Current-Max (ID) 10 A
Drain-source On Resistance-Max 0.054 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 10
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Mold ハロゲンフリー
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 20 A
Qg(nC) 10
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.028
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
Reference Standard AEC-Q101
RoHS 端子Pbフリー
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Tch(℃) 175
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 40
タイプ
極性 N-ch
駆動電圧タイプ 10Vゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK10S04K3Lのレビュー

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