TK100A10N1,S4X Toshiba

TK100A10N1,S4X - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TK100A10N1,S4X の詳細情報

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型番TK100A10N1,S4X
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
Avalanche Energy Rating (Eas) 222 mJ
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 100 V
Drain Current-Max (ID) 100 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0038 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 362 A
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TK100A10N1,S4Xのレビュー

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