TJ80S04M3L(T6L1NQ Toshiba

TJ80S04M3L(T6L1NQ - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TJ80S04M3L(T6L1NQ の詳細情報

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型番TJ80S04M3L(T6L1NQ
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
Avalanche Energy Rating (Eas) 148 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 80 A
Drain Current-Max (ID) 80 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0079 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 100 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 160 A
Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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