| 型番 | TJ80S04M3L |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | FET |
| 種別 | パワーMOSFET |
| データシート | ![]() |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 148 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 80 A |
| Drain Current-Max (ID) | 80 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0079 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 740 pF |
| ID(A) | -80 |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| Mold | ハロゲンフリー |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 100 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 160 A |
| Qg(nC) | 158 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.0052 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
| Reference Standard | AEC-Q101 |
| RoHS | 端子Pbフリー |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Tch(℃) | 175 |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V) | -40 |
| タイプ | |
| 極性 | P-ch |
| 駆動電圧タイプ | -10Vゲート駆動 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
TJ80S04M3L - TOSHIBA の商品詳細ページです。