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TJ60S04M3L(T6L1NQ
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TJ60S04M3L(T6L1NQ の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | TJ60S04M3L(T6L1NQ |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| 種別 | パワーMOSFET |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 146 mJ |
| Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
| Drain Current-Max (ID) | 60 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0094 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-XSSO-G2 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | UNSPECIFIED |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 120 A |
| Reference Standard | AEC-Q101 |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
TJ60S04M3L(T6L1NQのレビュー
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