TJ15S06M3L(T6L1,NQ Toshiba

TJ15S06M3L(T6L1,NQ - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
TJ15S06M3L(T6L1,NQ
  • TJ15S06M3L(T6L1,NQ
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

TJ15S06M3L(T6L1,NQ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TJ15S06M3L(T6L1,NQ
メーカーTOSHIBA
種別パワーMOSFET
Avalanche Energy Rating (Eas) 29 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 15 A
Drain-source On Resistance-Max 0.063 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A
Reference Standard AEC-Q101
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TJ15S06M3L(T6L1,NQのレビュー

TJ15S06M3L(T6L1,NQ のご注文について