TJ15P04M3 データシート Toshiba

TJ15P04M3 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TJ15P04M3 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TJ15P04M3
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別パワーMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Avalanche Energy Rating (Eas) 29 mJ
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 1100
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 40 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 15 A
Drain Current-Max (ID) 15 A
Drain-source On Resistance-Max 0.048 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -15
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 29
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 29 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 45 A
Qg(nC) 26
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.036
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.048
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -40
VGSS(V) +/-20
タイプ
ピン数 3
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ ロジックレベルゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TJ15P04M3のレビュー

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