TJ150F04M3L データシート

Name: TJ150F04M3L
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376605-0000-0000-0000

TJ150F04M3L - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TJ150F04M3L の詳細情報

型番	TJ150F04M3L
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	FET
種別	パワーMOSFET
データシート
AEC-Q101	適合
Avalanche Energy Rating (Eas)	455 mJ
Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	40 V
Drain Current-Max (ID)	150 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0042 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	-150
JESD-30 Code	R-PSSO-G2
Mold
Number of Elements	1
Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
PD(W)	300
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	450 A
Qg(nC)	390
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.0028
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V	0.0042
Reference Standard	AEC-Q101
RoHS	端子Pbフリー
Surface Mount	YES
Tch(℃)	175
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	-40
データシート
ライフサイクル
極性	P-ch
端子処理(注3)	SnAg