TH58NYG3S0HBAI4 データシート

Name: TH58NYG3S0HBAI4
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376580-0000-0000-0000

TH58NYG3S0HBAI4 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TH58NYG3S0HBAI4 の詳細情報

型番	TH58NYG3S0HBAI4
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	フラッシュメモリ
種別	NAND型フラッシュメモリ
データシート
JESD-30 Code	R-PBGA-B63
Length	11 mm
Memory Density	8589934592 bit
Memory IC Type	EEPROM
Memory Width	8
Number of Functions	1
Number of Terminals	63
Number of Words	1073741824 words
Number of Words Code	1G
Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 Cel
Operating Temperature-Min	-40 Cel
Organization	1GX8
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Code	VFBGA
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Parallel/Serial	PARALLEL
Programming Voltage	3 V
Seated Height-Max	1 mm
Supply Voltage-Max (Vsup)	1.95 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES
Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL
Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm
Terminal Position	BOTTOM
VCC (V)	1.7 to 1.95
Width	9 mm
ピン数	63
ブロックサイズ(bit)	(256K+16K) x 8
ページサイズ(bit)	(4096+256) x 8
世代(nm)	24
分類名	SLC NAND
動作温度(degC)	-40 to 85
容量(bit)	8G(4G x 2)