TH58NVG4S0FBAID データシート Toshiba

TH58NVG4S0FBAID - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TH58NVG4S0FBAID の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TH58NVG4S0FBAID
メーカーTOSHIBA
カテゴリフラッシュメモリ
種別NAND型フラッシュメモリ
データシートProduct_list_pdf
JESD-30 Code R-PBGA-B63
Length 11 mm
Memory Density 17179869184 bit
Memory IC Type EEPROM
Memory Width 8
Number of Functions 1
Number of Terminals 63
Number of Words 2147483648 words
Number of Words Code 2G
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 2GX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code VFBGA
Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3 V
Seated Height-Max 1 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3.3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form BALL
Terminal Pitch 0.8 mm
Terminal Position BOTTOM
VCC (Typ.) (V) 2.7 to 3.6
Width 10 mm
データシート
ピン数 63
ブロックサイズ(bit) (256K+14.5K) x 8
ページサイズ(bit) (4096+232) x 8
世代(nm) 32
分類名 SLC NAND
動作温度(degC) -40 to 85
容量(bit) 16G(8G x 2)
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TH58NVG4S0FBAIDのレビュー

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