TH58BVG3S0HTAI0 データシート Toshiba

TH58BVG3S0HTAI0 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TH58BVG3S0HTAI0 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TH58BVG3S0HTAI0
メーカーTOSHIBA
カテゴリフラッシュメモリ
種別NAND型フラッシュメモリ
データシートProduct_list_pdf
JESD-30 Code R-PDSO-G48
Length 18.4 mm
Memory Density 8589934592 bit
Memory IC Type FLASH
Memory Width 8
Number of Functions 1
Number of Terminals 48
Number of Words 1073741824 words
Number of Words Code 1G
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 1GX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TSOP1
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE, THIN PROFILE Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3.3 V
Seated Height-Max 1.2 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3.3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.5 mm
Terminal Position DUAL
VCC (V) 2.7 to 3.6
Width 12 mm
ピン数 48
ブロックサイズ(bit) (256K+8K) x 8
ページサイズ(bit) (4096+128) x 8
世代(nm) 24
分類名 BENAND (Built-in ECC SLCNAND)
動作温度(degC) -40 to 85
容量(bit) 8G(4G x 2)
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TH58BVG3S0HTAI0のレビュー

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