TDTA114E - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TDTA114E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TDTA114E
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 30
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Q1IC (Max)(A) -0.1
Q1VCEO (Max)(V) -50
Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) 10
Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) 10
Q2IC (Max)(A)
Q2VCEO (Max)(V)
Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm)
Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm)
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
ピン数 3
内部接続 シングル品
極性 PNP
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TDTA114Eのレビュー

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