 
  
| 型番 | TDTA114E | 
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA | 
| カテゴリ | その他-トランジスタ | 
| データシート |  | 
| Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1 | 
| Collector Current-Max (IC) | 0.1 A | 
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V | 
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 
| DC Current Gain-Min (hFE) | 30 | 
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 | 
| Number of Elements | 1 | 
| Number of Terminals | 3 | 
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | 
| Package Shape | RECTANGULAR | 
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter | 
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | 
| Polarity/Channel Type | PNP | 
| Q1IC (Max)(A) | -0.1 | 
| Q1VCEO (Max)(V) | -50 | 
| Q1ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | 10 | 
| Q1ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | 10 | 
| Q2IC (Max)(A) | |
| Q2VCEO (Max)(V) | |
| Q2ベース-エミッタ間抵抗 (Typ.)(kohm) | |
| Q2ベースシリーズ抵抗 (Typ.)(kohm) | |
| Surface Mount | YES | 
| Terminal Form | GULL WING | 
| Terminal Position | DUAL | 
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | 
| Transistor Application | SWITCHING | 
| Transistor Element Material | SILICON | 
| Transition Frequency-Nom (fT) | 250 MHz | 
| ピン数 | 3 | 
| 内部接続 | シングル品 | 
| 極性 | PNP | 
| 面実装区分 | Y | 
| 会社名称 | 株式会社東芝 | 
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 | 
| 資本金 | 4,399億円 | 
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 | 
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ | 
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