TC58NYG1S3HBAI6 データシート

Name: TC58NYG1S3HBAI6
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376564-0000-0000-0000

TC58NYG1S3HBAI6 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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NAND型フラッシュメモリ | SLC | NAND|パッケージ : FBGA

TC58NYG1S3HBAI6 の詳細情報

型番	TC58NYG1S3HBAI6
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	フラッシュメモリ
種別	NAND型フラッシュメモリ
データシート
JESD-30 Code	R-PBGA-B67
Length	8 mm
Memory Density	2147483648 bit
Memory IC Type	FLASH
Memory Width	8
Number of Functions	1
Number of Terminals	67
Number of Words	268435456 words
Number of Words Code	256M
Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 Cel
Operating Temperature-Min	-40 Cel
Organization	256MX8
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Code	VFBGA
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Parallel/Serial	PARALLEL
Programming Voltage	1.8 V
Seated Height-Max	1 mm
Supply Voltage-Max (Vsup)	1.95 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.8 V
Surface Mount	YES
Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL
Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm
Terminal Position	BOTTOM
Type	SLC NAND TYPE
VCC (V)	1.70 to 1.95
Width	6.5 mm
ピン数	67
ブロックサイズ(bit)	(128K+8K) x 8
ページサイズ(bit)	(2048+128) x 8
世代(nm)	24
分類名	SLC NAND
動作温度(degC)	-40 to 85
容量(bit)	2G