TC58NVG1S3HBAI6 データシート Toshiba

TC58NVG1S3HBAI6 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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NAND型フラッシュメモリ | SLC | NAND|パッケージ : FBGA

TC58NVG1S3HBAI6 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TC58NVG1S3HBAI6
メーカーTOSHIBA
カテゴリフラッシュメモリ
種別NAND型フラッシュメモリ
データシートProduct_list_pdf
JESD-30 Code R-PBGA-B67
Length 8 mm
Memory Density 2147483648 bit
Memory IC Type FLASH
Memory Width 8
Number of Functions 1
Number of Terminals 67
Number of Words 268435456 words
Number of Words Code 256M
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 256MX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code VFBGA
Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3.3 V
Seated Height-Max 1 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3.3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form BALL
Terminal Pitch 0.8 mm
Terminal Position BOTTOM
Type SLC NAND TYPE
VCC (V) 2.7 to 3.6
Width 6.5 mm
ピン数 67
ブロックサイズ(bit) (128K+8K) x 8
ページサイズ(bit) (2048+128) x 8
世代(nm) 24
分類名 SLC NAND
動作温度(degC) -40 to 85
容量(bit) 2G
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TC58NVG1S3HBAI6のレビュー

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