TC58NVG1S3ETA00 データシート Toshiba

TC58NVG1S3ETA00 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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NAND型フラッシュメモリ | SLC | NAND

TC58NVG1S3ETA00 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TC58NVG1S3ETA00
メーカーTOSHIBA
種別NAND型フラッシュメモリ
データシートProduct_list_pdf
Access Time-Max 25 ns
Command User Interface YES
Data Polling NO
JESD-30 Code R-PDSO-G48
JESD-609 Code e3
Length 18.4 mm
Memory Density 2147483648 bit
Memory IC Type EEPROM
Memory Width 8
Number of Functions 1
Number of Sectors/Size 2K
Number of Terminals 48
Number of Words 268435456 words
Number of Words Code 256M
Operating Mode SYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 70 Cel
Operating Temperature-Min 0 Cel
Organization 256MX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TSOP1
Package Equivalence Code TSSOP48,.8,20
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE, THIN PROFILE Meter
Page Size 2K words
Parallel/Serial PARALLEL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Supplies 3/3.3 V
Programming Voltage 3 V
Qualification Status Not Qualified
Ready/Busy YES
Seated Height-Max 1.2 mm
Sector Size 128K Words
Standby Current-Max 5.0E-5 Amp
Sub Category Flash Memories
Supply Current-Max 0.03 mA
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3.3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade COMMERCIAL
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Terminal Pitch 0.5 mm
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Toggle Bit NO
Type NAND TYPE
Width 12 mm
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TC58NVG1S3ETA00のレビュー

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