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TC58DVG02D5BAI6 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TC58DVG02D5BAI6 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TC58DVG02D5BAI6
メーカーTOSHIBA
種別NAND型フラッシュメモリ
データシートProduct_list_pdf
JESD-30 Code R-PBGA-B67
Length 8 mm
Memory Density 1073741824 bit
Memory IC Type EEPROM
Memory Width 8
Number of Functions 1
Number of Terminals 67
Number of Words 134217728 words
Number of Words Code 128M
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 128MX8
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code VFBGA
Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Parallel/Serial PARALLEL
Programming Voltage 3 V
Seated Height-Max 1 mm
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup) 3.3 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form BALL
Terminal Pitch 0.8 mm
Terminal Position BOTTOM
Width 6.5 mm
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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