NAND型フラッシュメモリ | Serial Interface | NAND
| 型番 | TC58CVG2S0HRAIG |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | フラッシュメモリ |
| 種別 | NAND型フラッシュメモリ |
| データシート | ![]() |
| Additional Feature | IT ALSO ORGANIZED AS 4G X 1 |
| Alternate Memory Width | 2 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
| Memory Density | 4294967296 bit |
| Memory IC Type | FLASH |
| Memory Width | 4 |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Terminals | 8 |
| Number of Words | 1073741824 words |
| Number of Words Code | 1G |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Operating Temperature-Max | 85 Cel |
| Operating Temperature-Min | -40 Cel |
| Organization | 1GX4 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | SON |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Parallel/Serial | SERIAL |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Programming Voltage | 2.7 V |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
| Surface Mount | YES |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| VCC (V) | 2.7 to 3.6 |
| ピン数 | 8 |
| ブロックサイズ(bit) | (256K+8K) x 8 |
| ページサイズ(bit) | (4096+128) x 8 |
| 世代(nm) | 24 |
| 分類名 | Serial Interface NAND |
| 動作温度(degC) | -40 to 85 |
| 容量(bit) | 4G |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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