NAND型フラッシュメモリ | Serial Interface | NAND
型番 | TC58CVG2S0HRAIG |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | フラッシュメモリ |
種別 | NAND型フラッシュメモリ |
データシート | ![]() |
Additional Feature | IT ALSO ORGANIZED AS 4G X 1 |
Alternate Memory Width | 2 |
JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
Memory Density | 4294967296 bit |
Memory IC Type | FLASH |
Memory Width | 4 |
Number of Functions | 1 |
Number of Terminals | 8 |
Number of Words | 1073741824 words |
Number of Words Code | 1G |
Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 85 Cel |
Operating Temperature-Min | -40 Cel |
Organization | 1GX4 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | SON |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Parallel/Serial | SERIAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Programming Voltage | 2.7 V |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
Surface Mount | YES |
Technology | CMOS |
Temperature Grade | INDUSTRIAL |
Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
VCC (V) | 2.7 to 3.6 |
ピン数 | 8 |
ブロックサイズ(bit) | (256K+8K) x 8 |
ページサイズ(bit) | (4096+128) x 8 |
世代(nm) | 24 |
分類名 | Serial Interface NAND |
動作温度(degC) | -40 to 85 |
容量(bit) | 4G |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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