TC58CVG2S0HRAIG データシート Toshiba

TC58CVG2S0HRAIG - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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NAND型フラッシュメモリ | Serial Interface | NAND

TC58CVG2S0HRAIG の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TC58CVG2S0HRAIG
メーカーTOSHIBA
カテゴリフラッシュメモリ
種別NAND型フラッシュメモリ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature IT ALSO ORGANIZED AS 4G X 1
Alternate Memory Width 2
JESD-30 Code R-PDSO-N8
Memory Density 4294967296 bit
Memory IC Type FLASH
Memory Width 4
Number of Functions 1
Number of Terminals 8
Number of Words 1073741824 words
Number of Words Code 1G
Operating Mode ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Organization 1GX4
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code SON
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Parallel/Serial SERIAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Programming Voltage 2.7 V
Supply Voltage-Max (Vsup) 3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 2.7 V
Surface Mount YES
Technology CMOS
Temperature Grade INDUSTRIAL
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VCC (V) 2.7 to 3.6
ピン数 8
ブロックサイズ(bit) (256K+8K) x 8
ページサイズ(bit) (4096+128) x 8
世代(nm) 24
分類名 Serial Interface NAND
動作温度(degC) -40 to 85
容量(bit) 4G
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TC58CVG2S0HRAIGのレビュー

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