NAND型フラッシュメモリ | BENAND (Built-in ECC SLCNAND)|パッケージ : TSOP
| 型番 | TC58BVG0S3HTAI0 |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | フラッシュメモリ |
| 種別 | NAND型フラッシュメモリ |
| データシート | ![]() |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G48 |
| Length | 18.4 mm |
| Memory Density | 1073741824 bit |
| Memory IC Type | FLASH |
| Memory Width | 8 |
| Number of Functions | 1 |
| Number of Terminals | 48 |
| Number of Words | 134217728 words |
| Number of Words Code | 128M |
| Operating Mode | ASYNCHRONOUS |
| Operating Temperature-Max | 85 Cel |
| Operating Temperature-Min | -40 Cel |
| Organization | 128MX8 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | TSOP1 |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE Meter |
| Parallel/Serial | PARALLEL |
| Programming Voltage | 3.3 V |
| Seated Height-Max | 1.2 mm |
| Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
| Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
| Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3 V |
| Surface Mount | YES |
| Technology | CMOS |
| Temperature Grade | INDUSTRIAL |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Pitch | 0.5 mm |
| Terminal Position | DUAL |
| VCC (V) | 2.7 to 3.6 |
| Width | 12 mm |
| ピン数 | 48 |
| ブロックサイズ(bit) | (128K+4K) x 8 |
| ページサイズ(bit) | (2048+64) x 8 |
| 世代(nm) | 24 |
| 分類名 | BENAND (Built-in ECC SLCNAND) |
| 動作温度(degC) | -40 to 85 |
| 容量(bit) | 1G |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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