TC58BVG0S3HBAI4 データシート

Name: TC58BVG0S3HBAI4
Brand: TOSHIBA
SKU: 300376531-0000-0000-0000

TC58BVG0S3HBAI4 - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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NAND型フラッシュメモリ | BENAND (Built-in ECC SLCNAND)|パッケージ : FBGA

TC58BVG0S3HBAI4 の詳細情報

型番	TC58BVG0S3HBAI4
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	フラッシュメモリ
種別	NAND型フラッシュメモリ
データシート
Alternate Memory Width	1
Command User Interface	YES
Data Polling	NO
JESD-30 Code	R-PBGA-B63
Length	11 mm
Memory Density	1073741824 bit
Memory IC Type	FLASH
Memory Width	8
Number of Functions	1
Number of Sectors/Size	1K
Number of Terminals	63
Number of Words	134217728 words
Number of Words Code	128M
Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 Cel
Operating Temperature-Min	-40 Cel
Organization	128MX8
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Code	VFBGA
Package Equivalence Code	BGA63,10X12,32
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH Meter
Page Size	2K words
Parallel/Serial	PARALLEL
Programming Voltage	3.3 V
Ready/Busy	YES
Seated Height-Max	1 mm
Sector Size	128K Words
Standby Current-Max	5.0E-5 Amp
Supply Current-Max	0.03 mA
Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V
Supply Voltage-Nom (Vsup)	3.3 V
Surface Mount	YES
Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL
Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm
Terminal Position	BOTTOM
Toggle Bit	NO
Type	NAND TYPE
VCC (V)	2.7 to 3.6
Width	9 mm
Write Cycle Time-Max (tWC)	2.5E-5 ms
ピン数	63
ブロックサイズ(bit)	(128K+4K) x 8
ページサイズ(bit)	(2048+64) x 8
世代(nm)	24
分類名	BENAND (Built-in ECC SLCNAND)
動作温度(degC)	-40 to 85
容量(bit)	1G