TBD62003AFG,EL Toshiba

TBD62003AFG,EL - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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TBD62003AFG,EL
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汎用リニアIC | DMOSトランジスタアレイ|汎用リニアIC | DMOSトランジスタアレイ

TBD62003AFG,EL の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番TBD62003AFG,EL
メーカーTOSHIBA
種別汎用リニアIC
Configuration COMPLEX
DS Breakdown Voltage-Min 50 V
Drain Current-Max (ID) 0.5 A
FET Technology JUNCTION
JESD-30 Code R-PDSO-G16
Number of Elements 7
Number of Terminals 16
Operating Mode DEPLETION MODE
Operating Temperature-Max 85 Cel
Operating Temperature-Min -40 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.625 W
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

TBD62003AFG,ELのレビュー

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