T2N7002BK データシート Toshiba

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T2N7002BK の詳細情報

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型番T2N7002BK
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 26
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.4 A
Drain-source On Resistance-Max 1.75 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 1.3 pF
ID(A) 0.4
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 0.32
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qg(nC) 0.39
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 1.5
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 1.75
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 60
VGSS(V) +/-20
タイプ
ピン数 3
世代 U-MOSⅦ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ ロジックレベルゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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