SSM6P49NU データシート Toshiba

SSM6P49NU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
SSM6P49NU
  • SSM6P49NU
  • SSM6P49NU
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
  • no_image
2営業日以内に回答いたします

MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : UDFN6 (表面実装)

SSM6P49NU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6P49NU
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Ciss:Q1(pF)Typ. 480
Ciss:Q2(pF)Typ. 480
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4 A
Drain Current-Max (ID) 4 A
Drain-source On Resistance-Max 0.045 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID:Q1(A) -4
ID:Q2(A) -4
JESD-30 Code R-PDSO-N6
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
PD(W) 1
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 16 A
Qg:Q1(nC)Typ.
Qg:Q2(nC)Typ.
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax 0.045
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax 0.076
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax 0.056
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)
VGSS(V) +/-12 / +/-12
タイプ
ピン数 6
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch x 2
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM6P49NUのレビュー

SSM6P49NU のご注文について