









MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : UDFN6 (表面実装)
| 型番 | SSM6P49NU |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | MOSFET |
| 種別 | 小信号MOSFET |
| データシート | ![]() |
| Case Connection | DRAIN |
| Ciss:Q1(pF)Typ. | 480 |
| Ciss:Q2(pF)Typ. | 480 |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 4 A |
| Drain Current-Max (ID) | 4 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.045 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| ID:Q1(A) | -4 |
| ID:Q2(A) | -4 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-N6 |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 6 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| PD(W) | 1 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 16 A |
| Qg:Q1(nC)Typ. | |
| Qg:Q2(nC)Typ. | |
| Qualification Status | Not Qualified |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax | |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax | |
| RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax | |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax | 0.045 |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax | 0.076 |
| RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax | 0.056 |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V) | |
| VGSS(V) | +/-12 / +/-12 |
| タイプ | |
| ピン数 | 6 |
| 世代 | U-MOSⅥ |
| 極性 | P-ch x 2 |
| 面実装区分 | Y |
| 駆動電圧タイプ | 低電圧ゲート駆動 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
SSM6P49NU - TOSHIBA の商品詳細ページです。