MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : US6 (表面実装)
| 型番 | SSM6N7002KFU |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | FET |
| 種別 | 小信号MOSFET |
| データシート | ![]() |
| Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.3 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 1.75 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| ID(A) | 0.3 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
| Mold | |
| Number of Elements | 2 |
| Number of Terminals | 6 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Qg(nC) | 0.39 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
| Reference Standard | AEC-Q101 |
| RoHS | |
| Surface Mount | YES |
| Tch(℃) | 150 |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V) | 60 |
| タイプ | |
| 極性 | N-ch x 2 |
| 駆動電圧タイプ | ロジックレベルゲート駆動 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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