SSM6N7002FUTE85L データシート Toshiba

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MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1

SSM6N7002FUTE85L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6N7002FUTE85L
メーカーTOSHIBA
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2 A
Drain Current-Max (ID) 0.2 A
Drain-source On Resistance-Max 3 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 1.4 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Sub Category FET General Purpose Powers
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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