SSM6N7002BFE データシート

Name: SSM6N7002BFE
Brand: TOSHIBA
SKU: 290440839-0000-0000-0000

SSM6N7002BFE - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : ES6 (表面実装)

SSM6N7002BFE の詳細情報

型番	SSM6N7002BFE
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	小信号MOSFET
データシート
Ciss:Q1(pF)Typ.
Ciss:Q2(pF)Typ.
Configuration	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min	60 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	0.2 A
Drain Current-Max (ID)	0.2 A
Drain-source On Resistance-Max	2.1 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID:Q1(A)	0.2
ID:Q2(A)	0.2
JESD-30 Code	R-PDSO-F6
Number of Elements	2
Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.15 W
Qg:Q1(nC)Typ.
Qg:Q2(nC)Typ.
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax	2.1
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax	3.3
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)
VGSS(V)	±20 / ±20
タイプ
ピン数	6
世代	U-MOSⅣ
極性	N-ch x 2
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	ロジックレベルゲート駆動