SSM6N56FE データシート Toshiba

SSM6N56FE - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : ES6 (表面実装)

SSM6N56FE の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6N56FE
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.8 A
Drain-source On Resistance-Max 0.235 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 0.8
JESD-30 Code R-PDSO-F6
Mold
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qg(nC) 1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RoHS
Surface Mount YES
Tch(℃) 150
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 20
タイプ
極性 N-ch x 2
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM6N56FEのレビュー

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