MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : US6 (表面実装)
型番 | SSM6N15AFU,LF |
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メーカー | TOSHIBA |
種別 | 小信号MOSFET |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (ID) | 0.1 A |
Drain-source On Resistance-Max | 6 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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