SSM6N09FU データシート

Name: SSM6N09FU
Brand: TOSHIBA
SKU: 290212467-0000-0000-0000

SSM6N09FU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : US6 (表面実装)

SSM6N09FU の詳細情報

型番	SSM6N09FU
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	小信号MOSFET
データシート
Ciss:Q1(pF)Typ.	20
Ciss:Q2(pF)Typ.	20
Configuration	SEPERATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	0.4 A
Drain Current-Max (ID)	0.4 A
Drain-source On Resistance-Max	1.7 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID:Q1(A)	0.4
ID:Q2(A)	0.4
JESD-30 Code	R-PDSO-G6
Number of Elements	2
Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	0.3
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Qg:Q1(nC)Typ.
Qg:Q2(nC)Typ.
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)
VGSS(V)	+/-20 / +/-20
タイプ
ピン数	6
世代	π-MOSⅥ
極性	N-ch x 2
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	低電圧ゲート駆動