SSM6L09FU データシート Toshiba

SSM6L09FU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET | 2 in 1|パッケージ : US6 (表面実装)

SSM6L09FU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6L09FU
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss:Q1(pF)Typ. 20
Ciss:Q2(pF)Typ. 22
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.2 A
Drain Current-Max (ID) 0.4 A
Drain-source On Resistance-Max 1.7 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 7 pF
ID:Q1(A) 0.4
ID:Q2(A) -0.2
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Number of Elements 2
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 0.3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qg:Q1(nC)Typ.
Qg:Q2(nC)Typ.
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=10VMax 0.7
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=2.5VMax
RDS(ON):Q1(Ω)VGS=4.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-10VMax 2.7
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-2.5VMax
RDS(ON):Q2(Ω)VGS=-4.5VMax
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V)
VGSS(V) ±20 / ±20
タイプ
ピン数 6
世代 π-MOSⅥ / π-MOSⅥ
極性 N-ch + P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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