SSM6K781G データシート Toshiba

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : WCSP6C (表面実装)

SSM6K781G の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6K781G
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 600
ID(A) 7
PD(W) 1.6
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qg(nC) 5.4
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V 0.124
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.0474
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.0232
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.018
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
VDSS(V) 12
VGSS(V) +/-8
タイプ
ピン数 6
世代 U-MOSⅦ-H
極性 N-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

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