SSM6K504NU データシート

Name: SSM6K504NU
Brand: TOSHIBA
SKU: 290440815-0000-0000-0000

SSM6K504NU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : UDFN6B (表面実装)

SSM6K504NU の詳細情報

型番	SSM6K504NU
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	小信号MOSFET
データシート
Case Connection	DRAIN
Ciss(pF)	620
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	9 A
Drain Current-Max (ID)	9 A
Drain-source On Resistance-Max	0.026 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	9
JESD-30 Code	S-PDSO-N6
Number of Elements	1
Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	1.25
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	SQUARE
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	2.5 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	18 A
Qg(nC)	4.8
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V	0.0195
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V	0.026
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	FET General Purpose Power
Surface Mount	YES
Terminal Form	NO LEAD
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	30
VGSS(V)	+/-20
タイプ
ピン数	6
世代	U-MOSⅦ-H
極性
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	ロジックレベルゲート駆動