SSM6J771G データシート Toshiba

SSM6J771G - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : WCSP6C (表面実装)

SSM6J771G の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6J771G
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 870
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.035 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -5
JESD-30 Code R-PBGA-B6
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
PD(W) 1.6
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style GRID ARRAY Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 10 A
Qg(nC) 9.8
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.0475
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.035
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Surface Mount YES
Terminal Form BALL
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-12
タイプ
ピン数 6
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM6J771Gのレビュー

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