MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : WCSP6C (表面実装)
型番 | SSM6J771G |
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メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | MOSFET |
種別 | 小信号MOSFET |
データシート | ![]() |
Ciss(pF) | 870 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
Drain Current-Max (ID) | 5 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.035 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
ID(A) | -5 |
JESD-30 Code | R-PBGA-B6 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 6 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
PD(W) | 1.6 |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 10 A |
Qg(nC) | 9.8 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | 0.0475 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | 0.035 |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | BALL |
Terminal Position | BOTTOM |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
VDSS(V) | -20 |
VGSS(V) | +/-12 |
タイプ | |
ピン数 | 6 |
世代 | U-MOSⅥ |
極性 | P-ch |
面実装区分 | Y |
駆動電圧タイプ | 低電圧ゲート駆動 |
会社名称 | 株式会社東芝 |
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設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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