SSM6J50TU データシート Toshiba

SSM6J50TU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : UF6 (表面実装)

SSM6J50TU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6J50TU
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5 A
Drain Current-Max (ID) 2.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.064 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -2.5
JESD-30 Code R-PDSO-F6
JESD-609 Code e0
Mold
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qg(nC)
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.1
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.064
RoHS
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Tch(℃) 150
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -20
タイプ
極性 P-ch
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM6J50TUのレビュー

SSM6J50TU のご注文について