SSM6J505NU データシート Toshiba

SSM6J505NU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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SSM6J505NU
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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : UDFN6B (表面実装)

SSM6J505NU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6J505NU
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Ciss(pF) 2700
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 12 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.016 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) -12
JESD-30 Code S-PDSO-N6
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 1.25
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape SQUARE
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 2.5 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A
Qg(nC) 37.6
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V 0.061
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V 0.03
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.021
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.016
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.012
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -12
VGSS(V) +/-6
タイプ
ピン数 6
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM6J505NUのレビュー

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