MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : UDFN6B (表面実装)
| 型番 | SSM6J501NU |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | MOSFET |
| 種別 | 小信号MOSFET |
| データシート | ![]() |
| Case Connection | DRAIN |
| Ciss(pF) | 2600 |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 10 A |
| Drain Current-Max (ID) | 10 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.0265 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| Feedback Cap-Max (Crss) | 280 pF |
| ID(A) | -10 |
| JESD-30 Code | S-PDSO-N6 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 6 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| PD(W) | 1 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | SQUARE |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 1 W |
| Qg(nC) | 29.9 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | 0.043 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | 0.0265 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | 0.019 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | 0.0153 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | NO LEAD |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V) | -20 |
| VGSS(V) | +/-8 |
| タイプ | |
| ピン数 | 6 |
| 世代 | U-MOSⅥ |
| 極性 | P-ch |
| 面実装区分 | Y |
| 駆動電圧タイプ | 低電圧ゲート駆動 |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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