SSM6J412TU データシート

Name: SSM6J412TU
Brand: TOSHIBA
SKU: 290440802-0000-0000-0000

SSM6J412TU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : UF6 (表面実装)

SSM6J412TU の詳細情報

型番	SSM6J412TU
メーカー	TOSHIBA
カテゴリ	MOSFET
種別	小信号MOSFET
データシート
Ciss(pF)	840
Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID)	4 A
Drain Current-Max (ID)	4 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0427 ohm
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A)	-4
JESD-30 Code	R-PDSO-F6
Number of Elements	1
Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 Cel
PD(W)	1
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	1 W
Qg(nC)	12.8
Qualification Status	Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.5V	0.0996
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=1.8V	0.0678
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=10V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=2.5V	0.0514
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4.5V	0.0427
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=4V
RDS(ON)Max(Ω)\|VGS\|=6V
Sub Category	Other Transistors
Surface Mount	YES
Terminal Form	FLAT
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON
VDSS(V)	-20
VGSS(V)	+/-8
タイプ
ピン数	6
世代	U-MOSⅥ
極性	P-ch
面実装区分	Y
駆動電圧タイプ	低電圧ゲート駆動