SSM6E01TU データシート Toshiba

SSM6E01TU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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SSM6E01TU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM6E01TU
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
(Q1)IC (Max)(A)
(Q1)ID (Max)(A) -1
(Q1)VCEO (Max)(V)
(Q1)VDS (Max)(V) -12
(Q1)VR (Max)(V)
(Q2)IC (Max)(A)
(Q2)ID (Max)(A) 0.1
(Q2)VCEO (Max)(V)
(Q2)VDS (Max)(V) 20
(Q2)VR (Max)(V)
Configuration SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 0.05 A
Drain-source On Resistance-Max 10 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F6
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 6
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
データシート
ピン数 6
ライフサイクル
構成 P-ch MOS + N-ch MOS
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM6E01TUのレビュー

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