バイポーラトランジスタ | 異品種混載複合デバイス|パッケージ : UFV (表面実装)
型番 | SSM5H11TU |
---|---|
メーカー | TOSHIBA |
カテゴリ | その他-トランジスタ |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
(Q1)IC (Max)(A) | |
(Q1)ID (Max)(A) | 1.6 |
(Q1)VCEO (Max)(V) | |
(Q1)VDS (Max)(V) | 30 |
(Q1)VR (Max)(V) | |
(Q2)IC (Max)(A) | |
(Q2)ID (Max)(A) | |
(Q2)VCEO (Max)(V) | |
(Q2)VDS (Max)(V) | |
(Q2)VR (Max)(V) | |
Configuration | SINGLE |
DS Breakdown Voltage-Min | 30 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1.6 A |
Drain Current-Max (ID) | 1.6 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.122 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 5 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 125 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.5 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | FET General Purpose Powers |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
ピン数 | 5 |
構成 | N-ch MOS + SBD |
面実装区分 | Y |
会社名称 | 株式会社東芝 |
---|---|
設立 | 1875年7月 |
資本金 | 4,399億円 |
所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
SSM5H11TU - TOSHIBA の商品詳細ページです。