SSM5H05TU データシート Toshiba

SSM5H05TU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

バイポーラトランジスタ | 異品種混載複合デバイス|パッケージ : UFV (表面実装)

SSM5H05TU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM5H05TU
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
(Q1)IC (Max)(A)
(Q1)ID (Max)(A) 1.5
(Q1)VCEO (Max)(V)
(Q1)VDS (Max)(V) 20
(Q1)VR (Max)(V)
(Q2)IC (Max)(A)
(Q2)ID (Max)(A)
(Q2)VCEO (Max)(V)
(Q2)VDS (Max)(V)
(Q2)VR (Max)(V) 12
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1.5 A
Drain Current-Max (ID) 1.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.22 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 85 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.8 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
データシート
ピン数 5
ライフサイクル
構成 N-ch MOS + SBD
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM5H05TUのレビュー

SSM5H05TU のご注文について