SSM5G02TU データシート Toshiba

SSM5G02TU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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バイポーラトランジスタ | 異品種混載複合デバイス|パッケージ : UFV (表面実装)

SSM5G02TU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM5G02TU
メーカーTOSHIBA
カテゴリその他-トランジスタ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
(Q1)IC (Max)(A)
(Q1)ID (Max)(A) -1
(Q1)VCEO (Max)(V)
(Q1)VDS (Max)(V) -12
(Q1)VR (Max)(V)
(Q2)IC (Max)(A)
(Q2)ID (Max)(A)
(Q2)VCEO (Max)(V)
(Q2)VDS (Max)(V)
(Q2)VR (Max)(V) 12
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 12 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 1 A
Drain Current-Max (ID) 1 A
Drain-source On Resistance-Max 0.24 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 85 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
ピン数 5
構成 P-ch MOS + SBD
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM5G02TUのレビュー

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