SSM4K27CT データシート Toshiba

SSM4K27CT - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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SSM4K27CT の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM4K27CT
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF)
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.5 A
Drain Current-Max (ID) 0.5 A
Drain-source On Resistance-Max 0.26 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 0.5
JESD-30 Code R-XBCC-N4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W)
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.4 W
Qg(nC)
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.39
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.26
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V 0.205
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 20
VGSS(V) +/-12
データシート
ピン数 4
ライフサイクル
極性 N-ch
面実装区分 Y
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM4K27CTのレビュー

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