MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : UFM (表面実装)
| 型番 | SSM3K106TU |
|---|---|
| メーカー | TOSHIBA |
| カテゴリ | MOSFET |
| 種別 | 小信号MOSFET |
| データシート | ![]() |
| Ciss(pF) | |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 1.2 A |
| Drain Current-Max (ID) | 1.2 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.53 ohm |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| ID(A) | 1.2 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| PD(W) | |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.8 W |
| Qg(nC) | |
| Qualification Status | Not Qualified |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V | 0.31 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V | |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V | 0.53 |
| RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V | |
| Sub Category | FET General Purpose Power |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
| VDSS(V) | 20 |
| VGSS(V) | +/-20 |
| データシート | |
| ピン数 | 3 |
| ライフサイクル | |
| 極性 | N-ch |
| 面実装区分 | Y |
| 会社名称 | 株式会社東芝 |
|---|---|
| 設立 | 1875年7月 |
| 資本金 | 4,399億円 |
| 所在地 | 東京都港区芝浦1-1-1 |
| URL | http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/ |
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