SSM3K09FU データシート Toshiba

SSM3K09FU - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : USM (表面実装)

SSM3K09FU の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3K09FU
メーカーTOSHIBA
カテゴリFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.4 A
Drain Current-Max (ID) 0.4 A
Drain-source On Resistance-Max 1.7 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
ID(A) 0.4
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Mold
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qg(nC)
Qualification Status Not Qualified
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V 0.7
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
RoHS
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount YES
Tch(℃) 150
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) 30
タイプ
極性 N-ch
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3K09FUのレビュー

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