SSM3J56MFV データシート Toshiba

SSM3J56MFV - TOSHIBA の商品詳細ページです。

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MOSFET | 小信号MOSFET|パッケージ : VESM (表面実装)

SSM3J56MFV の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番SSM3J56MFV
メーカーTOSHIBA
カテゴリMOSFET
種別小信号MOSFET
データシートProduct_list_pdf
Ciss(pF) 100
Configuration SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.8 A
Drain Current-Max (ID) 0.8 A
Drain-source On Resistance-Max 0.39 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 10 pF
ID(A) -0.8
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
PD(W) 0.5
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qg(nC) 1.6
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.2V 4
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.5V 0.9
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=1.8V 0.66
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=2.5V 0.48
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V 0.39
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4V
RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=6V
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VDSS(V) -20
VGSS(V) +/-8
タイプ
ピン数 3
世代 U-MOSⅥ
極性 P-ch
面実装区分 Y
駆動電圧タイプ 低電圧ゲート駆動
会社名称株式会社東芝
設立1875年7月
資本金4,399億円
所在地東京都港区芝浦1-1-1
URLhttp://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/

SSM3J56MFVのレビュー

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